[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201110301401.7 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102446935A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 榎本贵幸;富樫秀晃 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和电子装置。该固体摄像器件包括:基板,其具有根据受光量产生信号电荷的光电转换单元;通孔,其形成得从所述基板的前表面侧贯穿所述基板的背面侧;垂直栅极电极,其形成在所述通孔中,所述垂直栅极电极与所述通孔之间形成有栅极绝缘膜,所述垂直栅极电极使读出部读出由所述光电转换单元产生的信号电荷;及电荷固定膜,其具有负的固定电荷,所述电荷固定膜被形成得在覆盖所述基板的背面侧的同时覆盖所述通孔的内周面的位于所述基板的背面侧的一部分。本发明能够抑制产生于所述基板界面处的暗电流,并减小了工艺的非均匀性,从而能够防止产生白点。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括:基板,所述基板具有根据受光量产生信号电荷的光电转换单元;通孔,所述通孔形成得从所述基板的前表面侧贯穿所述基板的背面侧;垂直栅极电极,所述垂直栅极电极形成在所述通孔中,所述垂直栅极电极与所述通孔之间形成有栅极绝缘膜,所述垂直栅极电极使读出部读出由所述光电转换单元产生的信号电荷;以及电荷固定膜,所述电荷固定膜具有负的固定电荷,所述电荷固定膜被形成得在覆盖所述基板的背面侧的同时覆盖所述通孔的内周面的位于所述基板的背面侧的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的