[发明专利]氧化铟锡膜及其制作方法无效
| 申请号： | 201110302041.2 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103031517A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 杨能辉 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 韩蕾 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种氧化铟锡膜及其制法。该氧化铟锡膜包括：氧化铟锡主体层；以及设置于主体层上的氧化铟锡覆盖层；其覆盖层中O/(In+Sn)的原子比值小于主体层中O/(In+Sn)的原子比值，且覆盖层的厚度介于50至200埃之间。本发明还提供了一种氧化铟锡膜的制作方法，包括下列步骤：(A)、在氧气与氩气环境下沉积一氧化铟锡主体层；以及，(B)、在氩气与氢气环境下，于所述氧化铟锡主体层上沉积一氧化铟锡覆盖层，以制得上述氧化铟锡膜。本发明提供的氧化铟锡膜中的覆盖层可提供电性稳定作用，避免退火工艺对薄膜电性的影响，以形成具备绝佳透光率及导电性的氧化铟锡膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 铟锡膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铟锡膜，包括：一氧化铟锡主体层；以及一氧化铟锡覆盖层，其是设置于所述氧化铟锡主体层上；其中，所述氧化铟锡覆盖层中氧原子对铟锡原子的原子比值O/(In+Sn)小于所述氧化铟锡主体层中O/(In+Sn)的原子比值。
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