[发明专利]具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；半导体柱，从半导体衬底延伸，该半导体柱包括第一区域、第二区域和第三区域，第二区域位于第一区域和第三区域之间，第三区域位于第二区域与半导体衬底之间，直接相邻的区域具有不同的导电类型；第一栅极图案，设置在第二区域上，第一绝缘层在第一栅极图案与第二区域之间；以及第二栅极图案，设置在第三区域上，其中第二区域通过第二栅极图案欧姆连接到衬底。

主权项

一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；半导体柱，从所述半导体衬底延伸，该半导体柱包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间，所述第三区域位于所述第二区域与所述半导体衬底之间，直接相邻的区域具有不同的导电类型；第一栅极图案，设置在所述第二区域上，第一绝缘层在所述第一栅极图案与所述第二区域之间；以及第二栅极图案，设置在所述第三区域上，其中所述第二区域通过所述第二栅极图案欧姆连接到所述衬底。