[发明专利]一种半导体结构及其制造方法无效

申请号：	201110302970.3	申请日：	2011-10-09
公开（公告）号：	CN103035577A	公开（公告）日：	2013-04-10
发明（设计）人：	朱慧珑;尹海洲;骆志炯	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号：	H01L21/84	分类号：	H01L21/84;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
代理公司：	北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370	代理人：	朱海波
地址：	100029 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；形成栅介质层以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；形成相互分离的第一栅极、第二栅极以及第三栅极，其中，所述第一栅极和第二栅极分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；在所述源/漏结构中形成源/漏区。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间形成了第三栅极，可以用于有效地调整双鳍型半导体器件的阈值电压，提高双鳍型半导体器件的性能。
搜索关键词：	一种半导体结构及其制造方法
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【主权项】：

一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a)提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；b)形成栅介质层(400)以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；c)形成相互分离的第一栅极(501)、第二栅极(502)以及第三栅极(503)，其中，所述第一栅极(501)和第二栅极(502)分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极(503)位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；d)在所述源/漏结构中形成源/漏区。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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