[发明专利]一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法有效
| 申请号： | 201110303093.1 | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103035548A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 罗啸;石晶;钱文生;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。本发明的判定PMOSFET器件硼穿通的方法能准确的判定PMOSFET器件是否发生硼穿通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判定 pmosfet 器件 硼穿通 方法 | ||
【主权项】：
一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；(2)分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；(3)计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；(4)计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；(5)将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
