[发明专利]一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法有效
| 申请号： | 201110303185.X | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103033730A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 罗啸;石晶;钱文生;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造多组具有不同栅氧化层厚度的PMOSFET，每组包含两个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET；测量不同栅氧化层厚度PMOSFET的阈值电压；根据测得PMOSFET其各自的阈值电压与其各自栅氧化层厚度之间的关系制作关系图；沿N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压值添加趋势线，将趋势线整体平移至P型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压值位置；通过P型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压值是否偏离平移后的趋势线判定是否发生硼穿通。本发明的判定PMOSFET器件硼穿通的方法能界定硼穿通发生的临界浓度，能快速准确的判定是否发生硼穿通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判定 pmosfet 器件 硼穿通 方法 | ||
【主权项】：
一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)采用相同的工艺流程和参数制造多组具有不同栅氧化层厚度的PMOSFET，每组包含两个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET；(2)测量不同栅氧化层厚度的P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；(3)根据测得P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET其各自的阈值电压与其各自栅氧化层厚度之间的关系制作阈值电压与栅氧化层厚度关系图；(4)沿N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压值添加趋势线，将趋势线整体平移至P型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压值位置；P型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压值位于平移后的趋势线上，判定该氧化层厚度的P型多晶硅栅极PMOSFET没有发生硼穿通；某一栅氧化层厚度下P型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压偏离平移后的趋势线，判定这一栅氧化层厚度的P型多晶硅栅极PMOSFET发生了硼穿通。
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