[发明专利]多晶硅薄膜检查方法及其装置无效
| 申请号： | 201110303274.4 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446784A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 岩井进;村松刚;荒木正树;山口清美 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;曹鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜检查方法及其装置。为了检测出多晶硅薄膜表面的图像并观察多晶硅薄膜表面的状态，从而能够检查多晶硅薄膜的结晶状态，在多晶硅薄膜检查装置的结构中具备：光照射单元，其向在表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光；拍摄单元，其拍摄由光照射单元照射到基板的光中透射过多晶硅薄膜的光或者由多晶硅薄膜规则反射的光附近的来自多晶硅薄膜的散射光的图像；以及图像处理单元，其对由该拍摄单元拍摄得到的散射光的图像进行处理，从而检查多晶硅薄膜的结晶状态。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 检查 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，具备：光照射单元，其向在表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光；第一拍摄单元，其拍摄由该光照射单元照射到所述基板的光中透射过所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光附近的来自所述多晶硅薄膜的散射光的图像；第二拍摄单元，其拍摄产生于由该光照射单元照射光的所述多晶硅薄膜的一次衍射光的图像；以及图像处理单元，其对由该第一拍摄单元拍摄得到的所述散射光的图像和由所述第二拍摄单元拍摄得到的所述一次衍射光的图像进行处理，从而检查所述多晶硅薄膜的结晶状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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