[发明专利]用于处理硅衬底的方法和设备无效
| 申请号： | 201110303337.6 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446707A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 安吉秀;张承逸 | 申请（专利权）人： | 株式会社MM科技 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀园区木内*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于处理硅衬底以有效地移除形成在硅膜表面上的氧化硅膜且改进硅膜的表面均匀性的方法和设备。所述方法包括：提供包含硅膜的衬底；在第一时段内向衬底表面提供能够蚀刻氧化硅膜的第一流体；在第二时段内向衬底表面提供含有水的第二流体，所述第二时段不同于第一时段；以及在第三时段内向衬底表面提供第三流体，所述第三流体能够蚀刻氧化硅膜，具有与第一流体相比不同的成分，且具有相对于氧化硅膜的高蚀刻比，所述第三时段不同于第一时段和第二时段。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种处理硅衬底的方法，包括：提供包含硅膜的衬底；在第一时段内向所述衬底的表面提供能够蚀刻氧化硅膜的第一流体；以及在第二时段内向所述衬底的所述表面提供第二流体，所述第二流体能够蚀刻所述氧化硅膜，具有与所述第一流体相比不同的成分，且具有对于所述氧化硅膜的高蚀刻比，所述第二时段不同于所述第一时段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
