[发明专利]衬底处理设备和制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及衬底处理设备和制造半导体器件的方法。一种衬底处理设备包括处理室，其被配置为处理衬底；衬底支撑部件，其被设置在处理室内以支撑衬底；微波发生器，其被设置在处理室外面；波导发射端口，其被配置为将由微波发生器产生的微波供应到处理室中，其中，波导发射端口的中心位置偏离被支撑在衬底支撑部件上的衬底的中心位置，并且波导发射端口面对被支撑在衬底支撑部件上的衬底的前表面的一部分；以及控制单元，其被配置为改变衬底支撑部件沿水平方向相对于波导发射端口的相对位置。

主权项

一种衬底处理设备，包括：处理室，其被配置为处理衬底；衬底支撑部件，其被设置在所述处理室内以支撑所述衬底，所述衬底支撑部件包括所述衬底被支撑在其上面的衬底支撑引脚和在所述衬底支撑引脚下面提供的衬底支撑基座；微波发生器，其被设置在所述处理室外面；波导发射端口，其被配置为将由所述微波发生器产生的微波供应到所述处理室中，其中所述波导发射端口的中心位置偏离被支撑在所述衬底支撑部件上的衬底的中心位置，并且所述波导发射端口面对被支撑在所述衬底支撑部件上的衬底的前表面的一部分；以及控制单元，其被配置为在所述衬底被支撑在所述衬底支撑引脚上时沿水平方向相对于所述波导发射端口改变所述衬底支撑部件的相对位置，其中所述衬底支撑基座是导电基座，以及其中所述衬底支撑引脚的顶部与导电基座之间的距离对应于在处理所述衬底时供应的微波的1/4波长的奇数倍。