[发明专利]薄膜太阳能电池的划线方法及其设备有效

专利信息
申请号: 201110304760.8 申请日: 2011-10-10
公开(公告)号: CN102544197A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 赵军;梅芳 申请(专利权)人: 上方能源技术(杭州)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;B23K26/36
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 311215 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种划线技术,尤其涉及薄膜太阳能电池生产的划线方法及其设备。该方法包括三道划线P2和P3,P1划线按照传统技术使用激光对透明导电氧化物膜层进行划线,所述P1划线穿越所述透明导电氧化物膜层形成第一沟槽,而所述P2划线和P3划线在所述半导体镀膜之后和所述背电极镀膜之前的时间内进行;所述P2划线穿越所述半导体膜层形成与所述第一沟槽相平行的第二沟槽;所述P3划线使用可溶材料在所述半导体膜层上形成与所述第二沟槽相平行的可溶线条作为预备层。薄膜太阳能电池的划线设备,在同一个机械平台上整合了激光划线装置和可溶线条形成装置。本发明生产工艺简单、成本低、能优化电池性能和长期稳定性。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 划线 方法 及其 设备
【主权项】:
薄膜太阳能电池的划线方法,包括在透明导电氧化物膜层上进行半导体镀膜形成半导体膜层、在所述半导体镀膜上进行背电极镀膜形成背电极膜层以及三道划线P1、P2和P3,P1划线使用激光对所述透明导电氧化物膜层进行划线,所述P1划线穿越所述透明导电氧化物膜层形成第一沟槽,其特征在于:所述P2划线和P3划线在所述半导体镀膜之后和所述背电极镀膜之前的时间内进行;所述P2划线穿越所述半导体膜层形成与所述第一沟槽相平行的第二沟槽;所述P3 划线使用可溶材料在所述半导体膜层上形成与所述第二沟槽相平行的可溶线条作为预备层。
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