[发明专利]薄膜太阳能电池的划线方法及其设备有效
申请号: | 201110304760.8 | 申请日: | 2011-10-10 |
公开(公告)号: | CN102544197A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 赵军;梅芳 | 申请(专利权)人: | 上方能源技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/36 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 311215 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种划线技术,尤其涉及薄膜太阳能电池生产的划线方法及其设备。该方法包括三道划线P2和P3,P1划线按照传统技术使用激光对透明导电氧化物膜层进行划线,所述P1划线穿越所述透明导电氧化物膜层形成第一沟槽,而所述P2划线和P3划线在所述半导体镀膜之后和所述背电极镀膜之前的时间内进行;所述P2划线穿越所述半导体膜层形成与所述第一沟槽相平行的第二沟槽;所述P3划线使用可溶材料在所述半导体膜层上形成与所述第二沟槽相平行的可溶线条作为预备层。薄膜太阳能电池的划线设备,在同一个机械平台上整合了激光划线装置和可溶线条形成装置。本发明生产工艺简单、成本低、能优化电池性能和长期稳定性。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 划线 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
薄膜太阳能电池的划线方法,包括在透明导电氧化物膜层上进行半导体镀膜形成半导体膜层、在所述半导体镀膜上进行背电极镀膜形成背电极膜层以及三道划线P1、P2和P3,P1划线使用激光对所述透明导电氧化物膜层进行划线,所述P1划线穿越所述透明导电氧化物膜层形成第一沟槽,其特征在于:所述P2划线和P3划线在所述半导体镀膜之后和所述背电极镀膜之前的时间内进行;所述P2划线穿越所述半导体膜层形成与所述第一沟槽相平行的第二沟槽;所述P3 划线使用可溶材料在所述半导体膜层上形成与所述第二沟槽相平行的可溶线条作为预备层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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