[发明专利]一种用于薄膜太阳能电池的划线方法及其设备有效
申请号: | 201110304763.1 | 申请日: | 2011-10-10 |
公开(公告)号: | CN102554472A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 赵军;梅芳 | 申请(专利权)人: | 上方能源技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;B23K26/42;H01L31/18 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 311215 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种划线技术,尤其涉及用于薄膜太阳能电池生产的划线方法及其设备。该方法包括三道划线P1、P2和P3,P1划线使用激光对透明导电氧化物膜层进行划线,P2划线使用激光对半导体膜层进行划线,而三道划线P1、P2和P3均在半导体镀膜之后和背电极镀膜之前的时间内进行,P1划线穿越半导体膜层和透明导电氧化物膜层形成第一沟槽;P2划线穿越半导体膜层形成与第一沟槽相平行的第二沟槽;P3划线使用可溶材料在半导体膜层上形成与第二沟槽相平行的可溶线条作为预备层。用于薄膜太阳能电池的划线设备,在同一个机械平台上整合了激光划线装置,绝缘材料填充装置和可溶线条形成装置。本发明生产工艺简单、成本低、能优化电池性能和长期稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 薄膜 太阳能电池 划线 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
一种用于薄膜太阳能电池的划线方法,包括在透明导电氧化物膜层上进行半导体镀膜形成半导体膜层、在所述半导体镀膜上进行背电极镀膜形成背电极膜层以及三道划线P1、P2和P3,P1划线使用激光对所述透明导电氧化物膜层进行划线,P2划线使用激光对所述半导体膜层进行划线,其特征在于:所述三道划线P1、P2和P3均在所述半导体镀膜之后和所述背电极镀膜之前的时间内进行,所述P1划线穿越所述半导体膜层和所述透明导电氧化物膜层形成第一沟槽;所述P2划线穿越所述半导体膜层形成与所述第一沟槽相平行的第二沟槽;所述P3 划线使用可溶材料在所述半导体膜层上形成与所述第二沟槽相平行的可溶线条作为预备层。
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