[发明专利]基于可逆电致电阻效应的逻辑器件有效
| 申请号： | 201110305257.4 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856488A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;李大来;刘东屏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。由单功能层制备的逻辑器件，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在双输入的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在三输入(其中一个输入作为控制输入)的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 可逆 致电 效应 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
一种基于有势垒对称双功能层纳米多层膜的逻辑器件，其特征在于，由下至上依次包括：复合层、缓冲层、势垒层、导电层、功能自由层、覆盖层。
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