[发明专利]高压LED器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110305315.3 | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102368516A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京;程蒙召 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型限制层、外延层和P型接触电极层；制作至少一个隔离沟槽，以在衬底上方隔离出的每个所述区域内制作N型接触电极台阶；沉积隔离介质层；通过光刻、蚀刻工艺，去除与每个隔离沟槽紧邻的部分隔离介质层，在同步曝露出部分P型接触电极层、部分N型限制层和隔离沟槽内及隔离沟槽表面上沉积金属，一次制作出N电极、P电极和用于连接相邻LED电极的互联金属层，形成互联的多个LED。本发明还提供了一种高压LED器件，以降低高压LED器件制作的成本，提高互联性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 led 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型限制层、外延层和P型接触电极层；制作至少一个贯穿P型接触电极层、外延层、N型限制层的隔离沟槽，以在衬底上方隔离出至少两个区域，每个区域对应一个LED，在每个所述区域内制作一个与隔离沟槽相连通的N型接触电极台阶，所述N型接触电极台阶贯穿P型接触电极层、外延层；在上述器件结构表面沉积隔离介质层；通过光刻、蚀刻工艺去除与每个隔离沟槽紧邻的部分隔离介质层，分别暴露出部分P型接触电极层112和部分N型限制层104，在所暴露出的部分P型接触电极层、部分N型限制层和隔离沟槽内及隔离沟槽表面上沉积金属，一次制作出N电极、P电极和用于连接相邻LED的电极的互联金属层，形成互联的多个LED。
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