[发明专利]光电转换元件,制造光电转换元件的方法和成像器件有效

专利信息
申请号: 201110305331.2 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN102447066A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 中谷俊博;后藤崇;森田佳树;今井真二;铃木秀幸;泽木大悟 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L27/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈平
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供光电转换元件,制造光电转换元件的方法和成像器件。所述光电转换元件包括成对电极和多个有机层。所述成对电极安置在基板上方。所述多个有机层介于所述成对电极之间,并且包括光电转换层和在所述成对电极中的一个电极上形成的给定有机层。所述一个电极是二维排列的像素电极中的一个。给定有机层具有在位于排列的像素电极之间的台阶部上方的相应位置中形成的凹部。凹部的角度θ小于50°,其中将在凹部上的给定点处的正切平面相对于基板的表面平面的倾角定义为θ。
搜索关键词: 光电 转换 元件 制造 方法 成像 器件
【主权项】:
一种光电转换元件,所述光电转换元件包括:成对电极,所述成对电极安置在基板上方;和多个有机层,所述多个有机层介于所述成对电极之间,并且包括光电转换层和在所述成对电极中的一个电极上形成的给定有机层,所述一个电极是二维排列的像素电极中的一个,其中所述给定有机层具有在位于排列的像素电极之间的台阶部上方的相应位置中形成的凹部,并且所述凹部的角度θ小于50°,其中将在所述凹部上的给定点处的正切平面相对于所述基板的表面平面的倾角定义为θ。
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