[发明专利]一种高效率制备硅芯的方法和硅芯制备炉无效

专利信息
申请号: 201110305550.0 申请日: 2011-10-11
公开(公告)号: CN102345164A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 徐文龙;陈少华;景远波 申请(专利权)人: 天威四川硅业有限责任公司
主分类号: C30B28/10 分类号: C30B28/10;C30B29/06
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 方强
地址: 611436 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及硅芯制备领域的制备工艺,特别是一种高效率制备硅芯的方法其步骤如下:将多晶硅装在石英坩埚内加热溶化,再对溶化后的硅溶区进行降温;将带有多根籽晶往下降使多根籽晶与硅溶区接触,通过调整硅溶区温度和籽晶向上的提升速度使籽晶体直径逐渐变大,当硅芯直径接近目标直径时,控制籽晶的直径做等径生长;在生长后期停止供料,视硅芯直径大小控制速度与硅溶区进行脱离,而后将拉制完成的硅芯放在转盘的硅芯存放位上,移取籽晶夹头位上的籽晶夹头进行熔接,该方法对应有特制的硅芯制备炉;本发明可充分利用多晶生产过程中的玉米料、边角料等,有利于降低多晶硅制备过程中的能耗、投资以及人工费用,有利于降低生产太阳能级多晶硅的成本。
搜索关键词: 一种 高效率 制备 方法
【主权项】:
一种高效率制备硅芯的方法,其特征在于制备方法如下:第一步,将多晶硅装在石英坩埚(11)内,并加热至溶化;第二步,将石英坩埚(11)内溶化后的硅溶区(3)进行降温;第三步,把带有多根硅籽晶(1)的夹头装置往下降,使夹头装置下的多根硅籽晶(1)与硅溶区(3)接触,通过调整硅溶区(3)的温度和硅籽晶(1)向上的提升速度,使硅籽晶(1)直径逐渐变大成为硅芯(2),当硅芯(2)直径接近目标直径时,控制硅芯(2)的直径做等径生长; 第四步,在生长过程的后期,石英坩埚(11)停止供料,视硅芯(2)直径大小来控制硅籽晶(1)的提升速度,使得硅芯(2)与硅溶区(3)进行脱离,而后将拉制完成的硅芯(2)放在相应的存放位上,并移取硅籽晶夹头位(17)上的硅籽晶夹头(12)进行熔接,再重复上面步骤。
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