[发明专利]检查半导体器件的方法有效
申请号: | 201110305644.8 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102446785A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 山田聪;辛岛崇;广永兼也;安永雅敏;藤本裕史 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及检查半导体器件的方法。半导体器件的可靠性被提高。在BGA(半导体器件)的平整度检查中,形成了平整度标准,其中常温下平整度的(+)方向的允许范围比(-)方向的允许范围小。利用以上平整度标准,执行常温下半导体器件的平整度检查以确定安装的产品是非缺陷的还是有缺陷的。利用以上处理,减少了在回流焊接等期间受热时封装弯曲引起的有缺陷安装,以及提高了BGA的可靠性。同时,可执行更好地考虑安装状态的衬底型半导体器件的平整度管理。 | ||
搜索关键词: | 检查 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种检查具有安装在布线衬底上的半导体芯片的半导体器件的方法,包括步骤:(a)提供半导体器件,其中在与其上安装半导体芯片的布线衬底的前表面相对的后表面上提供多个外部端子;以及(b)测量所述外部端子的平整度以及确定所述半导体器件是有缺陷的还是非缺陷的,其中,在步骤(b)中,在布线衬底向上弯曲而布线衬底的后表面朝下的情况下,朝着突起侧的方向被称为“(+)方向”,而在布线衬底向下弯曲而布线衬底的后表面朝下的情况下,朝着突起侧的方向被称为“(‑)方向”,形成平整度标准,在所述平整度标准中(+)方向的平整度的允许范围比(‑)方向的平整度的允许范围小,以及利用所述平整度标准检查所述半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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