[发明专利]背照式固态成像设备无效
申请号: | 201110305658.X | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102446939A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 远藤武文;小守伸史;坂下德美 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种背照式固态成像设备,包括半导体衬底处的光电二极管以及MOS晶体管。这些MOS晶体管形成在半导体衬底的前表面之上。光电二极管对施加到与半导体衬底的前表面相反的背表面上的入射光作出响应。电荷存储部以及第一传输门和第二传输门形成在光电二极管的主要部分以及半导体衬底位于该主要部分附近上方的前表面之上,以便实现全局快门功能。由于照射光从背照式固态成像设备中的半导体衬底的背表面入射在光电二极管上,因此即使在第一传输门和第二传输门以及电荷存储部形成为实现全局快门功能时也不会减小光电二极管的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 背照式 固态 成像 设备 | ||
【主权项】:
一种背照式固态成像设备,包括:半导体衬底;MOS晶体管,形成在所述半导体衬底的前表面之上;光电二极管,形成在所述半导体衬底处,并适于响应施加到与所述半导体衬底的前表面相反的背表面的入射光;以及电荷存储部,形成在位于所述光电二极管的主要部分上方的所述半导体衬底的前表面之上,以便实现全局快门功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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