[发明专利]一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法有效
申请号: | 201110306381.2 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102382657A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 冯卫文 | 申请(专利权)人: | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 621000 四川省绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法。本发明提供的透明导电膜用蚀刻液,包括草酸、邻氟苯甲酸、烷基酚聚氧乙烯醚、消泡剂和水。所述草酸占蚀刻液总重的0.5-10%,优选为1-5%;所述邻氟苯甲酸占蚀刻液总重的0.1-5%,优选0.5-2%;所述烷基酚聚氧乙烯醚占蚀刻液总重的0.01-5%,优选0.1-1%;所述消泡剂占蚀刻液总重的0.001-1%,优选0.01-0.1%;余量为所述水。该蚀刻液在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣,有效抑制有效起泡,没有大量泡沫产生,且能够在温和的工作条件下对无定形ITO膜高效且高精度对ITO膜进行蚀刻,蚀刻效率和精度均满足现有要求,具有重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 蚀刻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电膜用蚀刻液,包括草酸、邻氟苯甲酸、烷基酚聚氧乙烯醚、消泡剂和水。
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