[发明专利]用于电量计量的集成MOSFET电流感测有效
| 申请号： | 201110306382.7 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102539899A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | D·哈林顿;J·B·范登维梅伦伯格;M·L·小皮克;J·A·沃萨姆 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | G01R19/25 | 分类号： | G01R19/25 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;朱海煜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于电量计量的集成MOSFET电流感测。要被感测所通过的电流的第一MOSFET耦合于相同类型的第二MOSFET，该第二MOSFET偏置成具有与该第一MOSFET相同的电阻。该第二MOSFET具有比该第一MOSFET小得多的面积，并且耦合于代表通过该第一MOSFET的最大电流的电流源。相对于该第二MOSFET两端的电压的第一MOSFET两端的电压提供通过该第一MOSFET的电流的测量。公开各种实施例，包括在电池组中的实施例，其用于消除对额外的以及昂贵的外部部件的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电量 计量 集成 mosfet 流感 | ||
【主权项】：
在用于感测流过场效应晶体管的电流的电流传感器中，设备包括：第一场效应晶体管；第二场效应晶体管，所述第一和第二场效应晶体管具有相同类型，每个具有源极、漏极和栅极；所述第一和第二场效应晶体管的源极耦合在一起，以及所述第一和第二场效应晶体管的栅极耦合在一起；所述第二场效应晶体管的漏极耦合于电流源；以及电路，其耦合于所述第一和第二场效应晶体管的源极和漏极以用于提供指示流过所述第一场效应晶体管的电流的输出。
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