[发明专利]一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺

摘要

本发明涉及一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺。热系统包括线圈和保温桶，在炉体外两侧与线圈1相同高度的位置上分别设有产生横向磁场的磁场发生器，在线圈和保温桶之间设有用于对熔区热量进行反射的反射器。其工艺为：当扩肩直径到达100mm时，伸出反射器在硅单晶周围形成一个保温圈，开启磁场发生器，同时要保证扩肩过程中硅单晶上方的熔区高度为3～5mm，当硅单晶直径到205mm时转肩；在等径保持过程中，炉压为4~8bar。由于采取新设计的区熔硅单晶热系统和调整了工艺参数，成功拉制出8英寸区熔硅单晶，解决了大直径硅单晶成晶困难中的温度波动和熔流波动的问题，避免和减少了位错的产生，从而满足市场对8英寸区熔硅单晶的需求。

主权项

一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统，包括线圈（1）和保温桶（3），其特征在于：在炉体外两侧与线圈（1）相同高度的位置上分别设有产生横向磁场的磁场发生器（4），在线圈（1）和保温桶（3）之间设有用于对熔区（5）热量进行反射的反射器（2）。