[发明专利]化学机械抛光后晶片清洗装置无效
| 申请号： | 201110306674.0 | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102773240A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘立中;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B11/00 | 分类号： | B08B11/00;B08B3/02;H01L21/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于包含：腔体；多个滚轮，用来支撑和旋转腔体中的晶片；至少一个清洁刷，用来刷洗晶片的待清洗表面；和液体喷洒装置，用来喷洒液体到晶片上，其中液体喷洒装置包含二个喷洒杆，其经由接合构件接合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 晶片 清洗 装置 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于包含：腔体；多个滚轮，用来支撑和旋转位在所述腔体中的一个晶片；至少一清洁刷，用来刷洗所述晶片的一待清洗表面，其特征在于所述晶片的待清洗表面分成二区域：中央区域和环形周边区域；和喷洒杆，用来喷洒液体到晶片上，其中所述的喷洒杆包含第一喷嘴组，其为分散布置而且位在所述喷洒杆的中间部分并对应所述中央区域，以及第二喷嘴组，其为密集布置并且位在所述喷洒杆的两端而且对应所述环形周边区域。
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