[发明专利]一种硬质B-C-N光学薄膜在审
申请号: | 201110307485.5 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102321872A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 戴圣英 | 申请(专利权)人: | 宁波市瑞通新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;G02B1/10 |
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地址: | 315177 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种射频(13.56MHz)磁控溅射制得的硬质B-C-N光学薄膜,其是在玻璃基体表面形成了与基体良好结合的B-C-N光学薄膜;同时,选用了合适的石墨/硼复合靶以及相应的溅射工艺参数,获得了接近于BC2N化学计量比的高性能薄膜;同时经过热处理能尽可能消除薄膜内应力;硬质B-C-N光学薄膜的厚度约为135nm,薄膜表面的元素的原子百分含量为22.7B-51.5C-25.8N,表面的硬度约为14GPa,薄膜的可见光区平均透光率约为87%。 | ||
搜索关键词: | 一种 硬质 光学薄膜 | ||
【主权项】:
一种射频(13.56MHz)磁控溅射制得的硬质B‑C‑N光学薄膜,其由下述步骤得到:首先,将玻璃基体材料分别用丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约10min后,用氮气吹干备用。随后,将基体材料置于真空室内的样品台上,并将石墨/硼复合靶置于靶位,其中所述的石墨/硼复合靶是将环状的硼套在圆片状的石墨外,且石墨与硼的面积比在2.5∶1‑2∶1之间,石墨的纯度为99.999%、硼的纯度为99.9%,石墨/硼复合靶与基体材料距离为7‑8cm。随后将真空室内真空度抽到≤5×10‑4Pa,同时通入流量为8‑10sccm的Ar,当真空室气压为2‑4Pa时,预溅射2‑3min,预溅射的功率为50‑70W,以进一步清洗基体材料的成膜表面。随后开始通入流量为3.5‑4.5sccm的N2,并维持Ar的流量为8‑10sccm、真空室气压为1‑1.5Pa、基体材料的负偏压为100‑150V,将基体材料的温度控制为250‑300℃,移开石墨/硼复合靶的挡板,以110‑120W功率进行溅射,溅射时间为70‑90min,以形成B‑C‑N光学薄膜。随后维持Ar的惰性气氛,在700‑750℃条件下对薄膜实施退火处理,处理时间为70‑90min。
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