[发明专利]图像传感器中的光侦测器隔离

摘要

第一浅渠沟隔离区横向地邻近于光侦测器而安置于硅半导体层中，同时第二浅渠沟隔离区横向地邻近于像素中的其它电组件而安置于该硅半导体层中。该第一浅渠沟隔离区及该第二浅渠沟隔离区各自包括安置于该硅半导体层中的用介电材料填充的渠沟。具有第二导电性的隔离层仅沿着渠沟的紧邻于光侦测器的底部部分且仅沿着渠沟的紧邻于光侦测器的侧壁安置。该隔离层不沿着邻近光侦测器的该渠沟的底部的其它部分及邻近光侦测器的该渠沟的另一侧壁安置。该隔离层不沿着邻近于其它电组件的渠沟的底部及侧壁安置。

主权项

一种包含具有多个像素的成像区域的图像传感器，其中至少一个像素包含：光侦测器，其包括安置于具有第二导电类型的层中的具有第一导电类型的储存区；第一浅渠沟隔离区，其安置于实施具有第二导电类型的层中、横向地邻近于所述储存区，其中所述第一浅渠沟隔离区包含形成于所述具有第二导电类型的层中的用介电材料填充的渠沟；及具有所述第二导电类型的隔离层，其仅部分地沿着所述渠沟的底部且仅沿着所述渠沟的紧邻于所述储存区的侧壁安置。