[发明专利]一种降低铜的化学机械抛光形成表面蝶形凹陷的方法无效
申请号: | 201110307979.3 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN102856249A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 方精训 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;B24B37/04 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明一种降低铜的化学机械抛光形成表面蝶形凹陷的方法,工艺步骤包括:铜互连线的上表面进行的电镀工艺之后,需淀积一层填充材料,并进行回流,用以消除铜互连线经电镀工艺之后表面起伏形貌。通过本发明一种降低铜的化学机械抛光形成表面蝶形凹陷的方法,有效的使在铜的电镀工艺后,淀积一种熔点低、润湿性好、与铜的粘附性强的填充材料,并进行回流工艺消除电镀后的表面起伏形貌,同时通过化学研磨抛光工艺的研磨,去除填充材料、绝缘层上过填的金属铜和扩散阻挡层。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 化学 机械抛光 形成 表面 蝶形 凹陷 方法 | ||
【主权项】:
一种降低铜的化学机械抛光形成表面蝶形凹陷的方法,工艺步骤包括:步骤一,首先沉积一层刻蚀终止层;步骤二,接着在刻蚀终止层表面沉积一层具有一定厚度的绝缘层;步骤三,然后对绝缘层进行光刻以及刻蚀工艺,使在绝缘层中形成通孔和沟槽;步骤四,接着使用物理气相沉积扩撒阻挡层以及在扩撒阻挡层上沉积金属铜,形成铜互连线;步骤五,对铜互连线的上表面进行电镀工艺;步骤六,最后是使用退火和化学机械抛光,对经电镀工艺过的铜互连线上表面进行平坦化处理与清洗;通过重复以上步骤一至步骤六的工序,形成多层金属叠加,其特征在于,还包括:在所述步骤五中铜互连线的上表面进行的电镀工艺之后,需淀积一层填充材料,并进行回流,用以消除铜互连线经电镀工艺之后表面起伏形貌。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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