[发明专利]一种双层钝化保护层的铝衬垫的制造方法无效
| 申请号： | 201110307985.9 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446757A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张亮;姬峰;胡友存;李磊;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层钝化保护层的铝衬垫的制造方法：进行芯片第一钝化保护层的沉积；通过光刻和刻蚀在第一钝化保护层上形成铝焊垫开口；在第一钝化保护层表面沉积生长金属铝层；对所生长的铝层进行离子轰击，将过度生长的凸角削平；再次进行第二次金属铝沉积；经过光刻和刻蚀，在铝焊垫开口上方形成铝焊垫结构；在生长好的铝焊垫表面生长第二钝化保护层；通过光刻和刻蚀将第二钝化保护层的铝焊垫区域打开，再次形成铝焊垫开口。通过本发明的工艺流程和方法，利用等离子轰击溅射回刻和多次金属铝填充工艺，有效地提高铝的填充能力，使接触孔边缘区域的填充能更平滑，铝焊垫平整，无凹槽，缺陷少，残留少，接触电阻小，封装可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 钝化 保护层 衬垫 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双层钝化保护层的铝衬垫的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：进行芯片第一钝化保护层的沉积；通过光刻和刻蚀在第一钝化保护层上形成铝焊垫开口，暴露出下层的金属互连；在第一钝化保护层表面沉积生长金属铝层；对所生长的具有凹陷缺陷的铝层进行离子轰击，将过度生长的凸角削平；再次进行第二次金属铝沉积，使其达到所需要的铝层厚度，并在铝层上沉积生长一层抗反射层；经过光刻和刻蚀，多余的铝金属被去除，在铝焊垫开口上方形成一定尺寸的铝焊垫结构；在生长好的铝焊垫表面生长第二钝化保护层；通过光刻和刻蚀将第二钝化保护层的铝焊垫区域打开，再次形成铝焊垫开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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