[发明专利]一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201110308260.1 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102509601A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 周东祥;龚树萍;傅邱云;赵俊;刘欢 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01C17/30 | 分类号： | H01C17/30;C04B35/468;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，①将下述化合物按摩尔组分比混合：BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.01；②进行高能超细球磨，获得粒径500nm以下的粉体混合物；③将所得浆料进行烘干、预烧处理，合成均匀微量掺杂的钛酸钡粉体；④将所得粉体配制成流延浆料，流延出生坯膜片；⑤层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；⑥切割成含有内电极的器件；⑦在还原气氛中烧结，然后在空气中进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下，室温电阻率在1～200Ω.cm之间，叠层器件升阻比达103以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸钡 ptc 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、二氧化硅按下述化合物摩尔组分比混合；BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.01；(2)将获得的钛酸钡粉体进行高能超细球磨，高能超细球磨采用直径为1～6mm的球，获得粒径大小为500nm以下的粉体混合物；(3)将所得粉体混合物进行烘干、预烧处理，合成均匀微量掺杂的钛酸钡粉体；(4)将所得粉体配制成流延浆料，流延出生坯膜片；(5)层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；(6)切割成含有内电极的器件；(7)在还原气氛中烧结，然后在空气中进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110308260.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
