[发明专利]发光器件和照明系统有效

专利信息
申请号: 201110308290.2 申请日: 2011-10-09
公开(公告)号: CN102447030A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 曹贤敬 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/02;H01L33/48;H01L33/62;F21S2/00;F21Y101/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 夏凯;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及发光器件和照明系统。可以提供一种发光器件,该发光器件包括:导电支撑构件;第一导电层,该第一导电层被布置在导电支撑构件上;第二导电层,该第二导电层被布置在第一导电层上;发光结构,该发光结构包括:形成在第二导电层上的第二半导体层、形成在第二半导体层上的有源层以及形成在有源层上的第一半导体层;以及绝缘层。第一导电层包括穿透第二导电层、第二半导体层以及有源层并且进入第一半导体层的特定区域的至少一个通孔。第一半导体层包括形成在导电通孔上或者上方的欧姆接触层。绝缘层形成在第一导电层和第二导电层之间并且形成在通孔的侧壁上。
搜索关键词: 发光 器件 照明 系统
【主权项】:
发光器件,包括:导电支撑构件;第一导电层,所述第一导电层被布置在所述导电支撑构件上;第二导电层,所述第二导电层被布置在所述第一导电层上;发光结构,所述发光结构包括第一半导体层,所述第一半导体层被放置在所述第二导电层上方,第二半导体层,所述第二半导体层被放置在所述第一半导体层和所述第二导电层之间,以及有源层,所述有源层被放置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;以及绝缘层,所述绝缘层被放置在所述第一导电层和所述第二导电层之间。其中所述第一导电层包括至少一个通孔,所述至少一个通孔穿透所述第二导电层、所述第二半导体层以及所述有源层并且被布置在所述第一半导体层内,其中所述绝缘层被布置为沿着所述通孔的侧面延伸,其中所述第一半导体层包括欧姆接触层,所述欧姆接触层形成在所述导电通孔上或者上方。
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