[发明专利]一种碳基纳米材料晶体管的制备方法无效
申请号: | 201110308483.8 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN102354668A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 魏芹芹;崔晓锐;尹金泽;曹宇;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种由碳纳米管和石墨烯组成的碳基纳米材料晶体管的制备方法。该方法首先在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管,并用导电材料将碳纳米管两端引出电极。在碳纳米管上方沉积一层介质材料,然后将石墨烯转移到淀积有介质材料的碳纳米管上,将碳纳米管的电极引出,并在石墨烯的两端沉积导电材料形成电极。本发明可以同时制备出两种结构的碳基纳米材料晶体管,即半导体性碳纳米管做沟道、石墨烯做栅电极的晶体管和金属性碳纳米管做栅电极、石墨烯做沟道的晶体管结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 材料 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳基纳米材料晶体管的制备方法,其步骤包括:1)在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管,并用导电材料将碳纳米管两端引出电极;2)在碳纳米管上方沉积一层介质材料;3)将石墨烯转移到沉积了介质材料的碳纳米管上面;4)将碳纳米管的电极引出,并在石墨烯的两端沉积导电材料形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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