[发明专利]一种碳基纳米材料晶体管的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110308483.8 申请日: 2011-10-12
公开(公告)号: CN102354668A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 魏芹芹;崔晓锐;尹金泽;曹宇;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;B82Y40/00
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种由碳纳米管和石墨烯组成的碳基纳米材料晶体管的制备方法。该方法首先在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管,并用导电材料将碳纳米管两端引出电极。在碳纳米管上方沉积一层介质材料,然后将石墨烯转移到淀积有介质材料的碳纳米管上,将碳纳米管的电极引出,并在石墨烯的两端沉积导电材料形成电极。本发明可以同时制备出两种结构的碳基纳米材料晶体管,即半导体性碳纳米管做沟道、石墨烯做栅电极的晶体管和金属性碳纳米管做栅电极、石墨烯做沟道的晶体管结构。
搜索关键词: 一种 纳米 材料 晶体管 制备 方法
【主权项】:
一种碳基纳米材料晶体管的制备方法,其步骤包括:1)在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管,并用导电材料将碳纳米管两端引出电极;2)在碳纳米管上方沉积一层介质材料;3)将石墨烯转移到沉积了介质材料的碳纳米管上面;4)将碳纳米管的电极引出,并在石墨烯的两端沉积导电材料形成电极。
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