[发明专利]功率晶体管组件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种功率晶体管组件，包括一衬底、一第一外延层、一扩散掺杂区、一第二外延层、一基体掺杂区以及一源极掺杂区。衬底、第一外延层、第二外延层以及源极掺杂区具有一第一导电类型，且扩散掺杂区以及基体掺杂区具有第二导电类型。第一外延层与第二外延层依序设于衬底上，且扩散掺杂区设于第一外延层中。基体掺杂区设于第二外延层中，并与扩散掺杂区相接触，且源极掺杂区设于基体掺杂区中。第二外延层的掺杂浓度小于第一外延层的掺杂浓度。借此，在第二外延层中形成基体掺杂区的步骤中可降低掺杂于第二外延层中的离子浓度，进而可稳定控制功率晶体管组件的沟道区的浓度。

主权项

一种功率晶体管组件，其特征在于，包括：一衬底，具有一第一导电类型；一第一外延层，设于该衬底上，且具有该第一导电类型，其中该第一外延层具有一第一掺杂浓度；一扩散掺杂区，设于该第一外延层中，且具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型；一第二外延层，设于该第一外延层与该扩散掺杂区上，且具有该第一导电类型，其中该第二外延层具有一第二掺杂浓度，且该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度；一基体掺杂区，设于该第二外延层中，并与该扩散掺杂区相接触，且该基体掺杂区具有该第二导电类型；一源极掺杂区，设于该基体掺杂区中，且具有该第一导电类型；以及一栅极结构，设于该第二外延层与该源极掺杂区之间的该基体掺杂区上。