[发明专利]带应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺有效
| 申请号： | 201110308925.9 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102339865A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 严利人;周卫;付军;王玉东;刘志弘;张伟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件范围的一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺。在MOS器件源漏接触区两侧制作开槽结构，阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区的作用，排除了沟道两侧材料对于沟道区的影响，从而使得器件沟道区只受应变帽层的应力作用，使得应力作用的效果做到最大化，而提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 增强 结构 半导体 mos 器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件，在MOS器件中央的沟道区(6)两边的是源漏浅结区(5)，与源漏浅结区(5)相连接的是源漏接触区(7)；在沟道区(6)上面依次为栅介质层(3)及栅电极(2)，栅介质层(3)及栅电极(2)两边为侧墙(4)，在栅介质层(3)、栅电极(2)和侧墙(4)的外面包裹应变帽层(1)；其特征在于，在MOS器件源漏接触区(7)两侧制作开槽结构(8)，阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区(6)的作用，从而使得器件沟道区(6)只受应变帽层的应力作用，使得应力作用的效果做到最大化，而提升器件的性能。
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