[发明专利]GaN膜结构及其制造方法和包括其的半导体器件

摘要

一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。

主权项

一种氮化镓(GaN)膜结构，包括：基板；设置在所述基板上的至少两个支撑件；第一缓冲层，配置为在所述至少两个支撑件上延伸；电极层，设置在所述第一缓冲层上；第二缓冲层，设置在所述电极层上；以及GaN层，设置在所述第二缓冲层上，其中所述至少两个支撑件在所述基板与所述第一缓冲层之间定义至少一个气体腔，所述至少两个支撑件通过部分地蚀刻形成在所述基板与所述第一缓冲层之间的牺牲层以定义所述至少一个气体腔而形成，以及所述电极层配置用作微加热器，用于在形成所述GaN层期间通过施加电流到所述电极层来产生热并保持层形成温度。