[发明专利]一种新型光伏焊带的制作工艺无效
申请号: | 201110309154.5 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103050566A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 伍小平;赵见 | 申请(专利权)人: | 江西英诺维斯实业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330006 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种新型光伏焊带的制作工艺,它涉及太阳能光伏发电系统领域。它采用压延和涂锡工艺分开处理;无氧铜线压延工艺:压延→淬火→氮气处理→去离子水清洗→铜带上卷;无氧铜带涂锡工艺:铜带放料→清洗系统→助焊系统→预热风干→涂锡→涂层厚度调节→收料→裁切包装;本发明能够达到淬火工艺要求,改变铜带物理性质,达到超软态,大大提高了生产能效;采用分开处理方式还能更好得控制铜带涂锡工艺中的涂层厚度,在生产过程中更好的控制产品品质,增加工艺灵活性。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 光伏焊带 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种新型光伏焊带的制作工艺,其特征在于它采用压延和涂锡工艺分开处理;无氧铜线压延工艺:压延→淬火→氮气处理→去离子水清洗→铜带上卷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的