[发明专利]半导体芯片及用于制造半导体芯片的布局制备方法有效

专利信息
申请号: 201110309282.X 申请日: 2011-10-10
公开(公告)号: CN102456659A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 陈宪伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体芯片,其具有一半导体基底;一第一导电接垫,形成于基底上方;一第二导电接垫,形成于基底上,且比第一导电接垫更远离半导体芯片的几何中心;一第一凸块下方金属结构,形成于第一导电接垫上方;以及一第二凸块下方金属结构,形成于第二导电接垫上方。第一导电接垫及第一凸块下方金属结构具有一第一接垫对凸块下方金属宽度比,且第二导电接垫及第二凸块下方金属结构具有一第二接垫对凸块下方金属宽度比,其大于第一接垫对凸块下方金属宽度比。本发明通过增加导电接垫的接垫宽度或是增加接垫宽度对凸块下方金属宽度比,可降低基底的介电层内凸块破裂和/或断裂及剥离。因此,可改善半导体芯片封装的寿命。
搜索关键词: 半导体 芯片 用于 制造 布局 制备 方法
【主权项】:
一种半导体芯片,包括:一基底;一电路,形成于该基底上;多个导电接垫,形成于该基底上,至少有一部分的所述多个导电接垫电性耦接于该电路,且所述多个导电接垫包括:一第一导电接垫,具有一第一接垫宽度;以及一第二导电接垫,具有大于该第一接垫宽度的一第二接垫宽度,其中该第一导电接垫比该第二导电接垫接近该半导体芯片的一几何中心;以及多个凸块结构,对应形成于所述多个导电接垫上。
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