[发明专利]改进高压NMOS器件安全工作区的结构及其方法有效
| 申请号： | 201110309649.8 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050527A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张帅;宁开明;董金珠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进高压NMOS器件安全工作区的结构及方法，包括：一个包围低压N阱LVNW的低压P阱LVPW；低压P阱LVPW上表面位于低压N阱LVNW侧面中间位置；低压P阱LVPW位于深N阱DNW中，深N阱DNW位于P型外延层中。本发明降低靠近源端PN结处电场强度，使电子、空穴碰撞几率减小，从而减少空穴电流，提高安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 高压 nmos 器件 安全 工作 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种改进高压NMOS器件安全工作区的结构，其特征在于，包括：一个包围低压N阱LVNW的低压P阱LVPW；低压P阱LVPW上表面位于低压N阱LVNW侧面中间位置；低压P阱LVPW位于深N阱DNW中，深N阱DNW位于P型外延层中。
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