[发明专利]ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用

摘要

三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位-1.0至-1.2V，开启时间10，沉积时的关断电位不是0V，而是设置为负关断电位-0.6V，关断时间10s；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；本发明的改进脉冲电沉积制备方法，一步获得相关薄膜，其设备和制备过程简单，可实现大面积制备，成本低。

主权项

三元ZnSnS薄膜的制备方法，其特征是电沉积一步生长ZnSnS薄膜的方法，具体过程如下：玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位 1.0至 1.2V，开启时间10±2s，沉积时的关断电位不是0V，而是设置为负关断电位 0.6±0.1V，关断时间10±2s；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；电解液的配备：硫代硫酸钠为100±20mM，硫酸锌为20 40mM，调节硫酸亚锡的浓度从0.1 10mM来制备出具有不同Sn组分比的薄膜，然后通过滴入稀硫酸使溶液pH调节为2.0 4。