[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110310003.1 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102456728A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 谷高真一;后藤胜敏 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 党晓林;王小东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其能够使半导体装置内的电流分布均匀化而无需使开关单元的尺寸可变。该半导体装置(1)具有多个绝缘栅型的开关单元即IGBT单元(10)，对各IGBT单元(10)的栅极(20)施加栅极-发射极电压(Vge)，使与该栅极-发射极电压(Vge)相应的集电极-发射极电流(Ice)流向以覆盖各IGBT单元(10)的方式设置的共同的发射极(22)，并且将接合引线(32)接合于该发射极(22)，与因从所述接合引线(32)的接合位置即接合部(34)离开的距离不同而形成差异的各IGBT单元(10)的所述栅极-发射极电压(Vge)相应地，改变各IGBT单元(10)的与互感相关的系数(Kp)，使得所述IGBT单元(10)各自的集电极-发射极电流(Ice)大致相等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有多个绝缘栅型的开关单元，对各开关单元的栅极施加栅极驱动电压，使与该栅极驱动电压相应的发射极电流流向以覆盖各开关单元的方式设置的共同的发射极，并且将引线接合于该发射极，所述半导体装置的特征在于，因从所述引线的接合位置离开的距离不同，各开关单元的所述栅极驱动电压形成差异，与各开关单元的所述栅极驱动电压相应地改变各开关单元的互感，使得所述开关单元各自的发射极电流大致相等。
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