[发明专利]一种溶剂热法制备SmS 薄膜的方法

摘要

一种溶剂热法制备SmS薄膜的方法，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；将分析纯SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中配置成A溶液；将分析纯硫代乙酰胺溶入无水乙醇中配置成B溶液；将溶液A和B混合均匀调节pH值得溶液C；将溶液C倒入水热釜中，并将基片置于其中，密封水热釜，将在电热真空干燥箱中反应结束后自然冷却到室温，将基片用无水乙醇或异丙醇洗涤后干燥即在基板表面获得SmS光学薄膜。由于本发明制备SmS薄膜反应在有机或混合液相中一次完成，不需要后期的晶化热处理，从而避免了SmS薄膜在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷，且工艺设备简单，易获得高压，反应温度低，所得膜纯度较高，晶粒生长可控。

主权项

一种溶剂热法制备SmS薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；步骤二：将分析纯SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为0.03～0.4mol/L的SmCl3溶液，标记为A；将分析纯硫代乙酰胺(H3CCSNH2)溶入无水乙醇中，配置成0.03～0.4mol/L的硫代乙酰胺的乙醇溶液，标记为B；步骤三：将溶液A和B按照2∶1～1∶6体积比混合搅拌均匀，用HCl或氨水溶液调节pH值为2.00～5.00，标记为C；步骤四：将溶液C倒入水热釜中，填充度控制在50～60％，放入已清洁好的基片，密封水热釜，将其放入电热真空干燥箱中，控制水热温度为120～180℃，压力为2～20MPa反应10～48小时；步骤五：反应结束后自然冷却到室温，打开水热釜，将基片用无水乙醇或异丙醇洗涤4～6次，并置于40～60℃的电热真空干燥箱内干燥2～8小时后即在基板表面获得SmS光学薄膜。