[发明专利]确定曝光条件和掩模图案的方法

摘要

本发明涉及确定曝光条件和掩模图案的方法，所述确定曝光条件和掩模图案的方法包括：设定曝光条件和掩模图案；使用设定的曝光条件、使用描述掩模图案的图像的质量的指标的第一评价函数来暂时确定掩模图案；使用暂时确定的掩模图案和设定的曝光条件计算描述掩模图案的图像的质量的指标的第二评价函数的值；基于计算的第二评价函数的值改变曝光条件和掩模图案；以及判断是否要执行重复暂时确定步骤和计算步骤的处理。在判断步骤中，在最新的第二步骤中暂时确定的掩模图案和在最新的第四步骤中改变的曝光条件分别被确定为掩模图案和曝光条件。

主权项

一种确定用于曝光装置的曝光条件和掩模图案的方法，所述曝光装置经由投影光学系统将掩模图案投影到基板上以将基板曝光，所述方法包括：第一步骤，设定曝光条件和掩模图案；第二步骤，使用在第一步骤中设定的曝光条件、使用描述通过投影光学系统在基板上形成的掩模图案的图像的质量的指标的第一评价函数来暂时确定掩模图案；第三步骤，使用在第二步骤中暂时确定的掩模图案和在第一步骤中设定的曝光条件，计算描述通过投影光学系统在基板上形成的掩模图案的图像的质量的指标的第二评价函数的值；第四步骤，基于在第三步骤中计算的第二评价函数的值来改变曝光条件和掩模图案；以及第五步骤，包括判断是否要在将在第四步骤中改变的曝光条件和掩模图案定义为初始值之后执行重复第二步骤和第三步骤的处理的处理，其中，在第五步骤中，如果第二步骤和第三步骤的重复次数还没有达到预定的数量并且在最新的第三步骤中计算的第二评价函数的值还没有达到允许范围，那么判断要执行重复第二步骤和第三步骤的处理；或者，如果第二步骤和第三步骤的重复次数已达到了预定的数量或者在最新的第三步骤中计算的第二评价函数的值已达到了允许范围，那么判断将不执行重复第二步骤和第三步骤的处理，并且，在最新的第二步骤中暂时确定的掩模图案和在最新的第四步骤中改变的曝光条件分别被确定为掩模图案和曝光条件。