[发明专利]光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法有效

专利信息
申请号: 201110310582.X 申请日: 2011-10-13
公开(公告)号: CN102360168A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 王剑;毛智彪;戴韫青 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G01B21/02;G01B21/16;H01L23/544
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 陆花
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法。根据本发明的光刻工艺集成量测图形包括:用于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽量测部分中的多个或全部。
搜索关键词: 光刻 工艺 集成 图形 以及 方法
【主权项】:
一种光刻工艺集成量测图形,其特征在于包括:用于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽量测部分中的多个或全部。
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