[发明专利]一种用于激光加工位置量测的微测试结构制造方法

摘要

本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种用于激光加工中位置量测的微测试结构制造方法。首先设计电阻结构，选取电阻结构类型，采用传统技术，制作出高掺杂区，采用两步退火法制作低掺杂区；采用传统的技术包括介质层淀积、光刻和介质层刻蚀等制作出接触孔，并制作出金属连线及压焊块区，完成电阻结构的制作；对于电阻结构的制作，是同时按照一系列的坐标位置排布制作出一系列电阻的，这些电阻结构通过光刻放置到晶圆片上的不同位置处，作为激光加工中位置量测的测试结构。本发明设定了特殊的两步退火法制作流程，既能够保证所制作电阻测试结构的可测性，同时测值能够反映激光加工的定位精度情况，能够很好地实现晶圆片定位误差的测试测量效果。

主权项

一种用于激光加工中位置量测的微测试结构制造方法，其特征在于，所述微测试结构是一种电阻结构，具体制作步骤为：1)首先设计电阻结构：金属压焊块区(1)通过接触孔(4)与掺杂浓度比较高的高掺杂区(2)相连，高掺杂区(2)再与掺杂浓度较低的低掺杂区(3)相连；这里高掺杂区和低掺杂区是同型的，即都是N型掺杂，或者都是P型掺杂；2)选取电阻结构类型，如果衬底是N型的，则在其上制作出P型电阻，如果是P型衬底，则在其上制作N型电阻；3)以制作P型电阻为例，制作步骤如下：采用传统技术，制作出高掺杂区(2)，先是进行光刻，将高掺杂区(2)之外的区域用光刻胶进行掩蔽；然后对高掺杂区(2)注入硼离子，注入能量在30keV至100keV，注入剂量在每平方厘米1e15以上；去胶清洗后进行常规热退火，激活所注入的离子；4)采用两步退火法制作低掺杂区(3)，仍然采用步骤3)的光刻加注入的方式进行低掺杂区(3)的掺杂，注入硼离子的剂量在每平方厘米1e13至1e15；使用传统技术对低掺杂区(3)进行部分退火，使得掺杂杂质部分激活，激活率在30％～50％；最后使用激光退火的技术进行二次退火，经过这后一步退火，掺杂离子成为完全激活状态，对于电阻值起决定性作用的，将是低掺杂区(3)的掺杂浓度，以及激光退火激活该区域掺杂杂质的情况；5)所述采用传统的技术包括介质层淀积、光刻和介质层刻蚀，制作出接触孔(4)；以及采用传统的技术进行金属层沉积、光刻、金属层刻蚀和钝化，制作出金属连线及压焊块区域(1)，完成电阻结构的制作；该完成的电阻结构是同时按照一系列的坐标位置排布制作出一系列的电阻，这些电阻结构通过光刻放置到晶圆片上的不同位置处，作为激光加工中位置量测的测试结构；6)对于制作完成的电阻结构，测试其电阻阻值，并提取定位误差。