[发明专利]一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法

摘要

一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

主权项

一种MOSFET可靠性测试分析系统，其特征在于它包括MOSFET退化实验环境模拟箱(1)：把MOSFET设置在本箱体中，通过模拟高温、低温和恶劣的湿度环境加速MOSFET的老化过程；MOSFET静态参数测试仪(2)：连接被测试的MOSFET，测量MOSFET退化实验环境模拟箱(1)中MOSFET在所模拟的温度和湿度环境下的阈值电压、跨导和沟道电阻；下位机(3)：与MOSFET静态参数测试仪(2)相连接，用于采集MOSFET静态参数测试仪(2)所测量的阈值电压、跨导和沟道电阻数据；与MOSFET退化实验环境模拟箱(1)相连接，控制MOSFET退化实验环境模拟箱(1)中的温度和湿度的变化；上位机(4)：与下位机相连接，控制下位机(3)的开启和关闭时间，从而完成在特定时间和特定时间长度下阈值电压、跨导和沟道电阻数据的采集；PC机(5)：实现同步显示阈值电压、沟道电阻数值，产生转移特性曲线，所述转移特性曲线是MOSFET的漏源电流与栅源电压之间的关系曲线。