[发明专利]成膜装置及成膜方法无效
申请号: | 201110312237.X | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN102453888A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 菱谷克幸;本间学;冈部庸之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。该成膜装置在容器内设有用于划分出成膜空间的、由耐腐蚀性比构成容器的材料的耐腐蚀性优良的材料制作而成的分区构件,该成膜空间包含:配置在容器内、用于载置基板的旋转台;用于向旋转台供给第1反应气体的第1反应气体供给部;用于向旋转台供给第2反应气体的第2反应气体供给部。该成膜装置包括用于测量成膜空间压力的压力测量部、及用于测量成膜空间的外侧空间的压力的压力测量部,通过这些测量,成膜空间的外侧空间的压力被维持为稍高于成膜空间压力的压力。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,该成膜装置在容器内按顺序朝向基板供给互相反应的至少两种反应气体,层叠该两种反应气体的反应生成物的层而形成薄膜,其中,包括:旋转台,其能够旋转地设置在上述容器内,包含用于载置基板的基板载置区域;第1反应气体供给部,其沿与上述旋转台的旋转方向交叉的方向延伸,用于朝向上述旋转台供给第1反应气体;第2反应气体供给部,其沿着上述旋转台的上述旋转方向与上述第1反应气体供给部分开地配置,沿与上述旋转方向交叉的方向延伸,用于朝向上述旋转台供给第2反应气体;分区构件,其用于在上述容器内划分出包含上述旋转台、上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部的成膜空间,由耐腐蚀性比构成上述容器的材料的耐腐蚀性优良的材料制作而成;排气部,其用于对由上述分区构件划分而成的上述成膜空间进行排气;第1吹扫气体供给部,其用于向上述容器内的位于上述成膜空间外侧的外侧空间供给吹扫气体;第1压力测量部,其用于测量上述成膜空间的压力和上述外侧空间的压力;第1配管,其使上述外侧空间经由第1开闭阀连通于上述排气部;控制部,其用于对由上述第1压力测量部测量出的上述成膜空间的压力和上述外侧空间的压力进行比较,与比较结果相应地控制上述第1开闭阀;分离气体供给部,其在上述成膜空间内位于沿着上述旋转方向的、上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间,用于供给分离气体;顶面,其配置在上述分离气体供给部的两侧,相对于上述旋转台形成分离空间,该分离空间用于向包含上述第1反应气体供给部的第1区域和包含上述第2反应气体供给部的第2区域中导入上述分离气体,该顶面配置为能够利用上述分离气体使上述分离空间的压力高于上述第1区域及上述第2区域中的压力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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