[发明专利]一种DMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110312583.8 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050405A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DMOS器件及其制作方法，用以减少DMOS器件的制作过程中的光刻和刻蚀过程，简化DMOS器件的制作工艺流程。所述方法包括：在生成了N型硅半导体衬底、N型硅半导体外延层、栅氧化层及多晶硅层之后，在多晶硅层上生长第一介质层，通过光刻及刻蚀将多晶硅层和第一介质层形成凹槽，露出栅氧化层；通过所述凹槽将P型体区注入N型硅半导体外延层，并对P型体区进行驱入；通过所述凹槽将N型源区注入P型体区中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双扩散金属氧化物半导体DMOS器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：在生成了N型硅半导体衬底、N型硅半导体外延层、栅氧化层及多晶硅层之后，在多晶硅层上生长第一介质层，通过光刻及刻蚀将多晶硅层和第一介质层形成凹槽，露出栅氧化层；通过所述凹槽将P型体区注入N型硅半导体外延层，并对P型体区进行驱入；通过所述凹槽将N型源区注入P型体区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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