[发明专利]半导体结构和形成该半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201110314174.1 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050513A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/762;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;刘鹏 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括：衬底，位于所述衬底上的导体层和围绕所述导体层的电介质层；覆盖所述导体层和所述电介质层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极导体层，以及围绕所述栅极导体层的电介质层；覆盖所述栅极导体层和所述围绕栅极导体层的电介质层的绝缘层；填充有半导体材料的通道垂直穿过所述栅极导体层且该通道的底部停止在所述导体层上，在所述通道的顶部设置有用作漏/源极的导体插塞；用作源/漏极的导体插塞与所述导体层电接触，用作栅极的导体插塞与所述栅极导体层电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底，位于所述衬底上的导体层和围绕所述导体层的电介质层；覆盖所述导体层和所述电介质层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极导体层，以及围绕所述栅极导体层的电介质层；覆盖所述栅极导体层和所述围绕栅极导体层的电介质层的绝缘层；填充有半导体材料的通道垂直穿过所述栅极导体层且该通道的底部停止在所述导体层上，在所述通道的顶部设置有用作漏/源极的导体插塞；用作源/漏极的导体插塞与所述导体层电接触，用作栅极的导体插塞与所述栅极导体层电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110314174.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型渗透结晶防水剂
- 下一篇：一种高强度建筑板材及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
