[发明专利]基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110314347.X | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102637730A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构，包括：一P型硅衬底、一N阱区埋层，所述N阱区埋层覆盖在P型硅衬底上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在N阱区埋层上，所述P型硅层上设有栅极以及位于栅极两侧的侧墙，所述栅极两侧的P型硅层上分别设有浅沟槽，所述浅沟槽的底部低于N阱区埋层的上表面且不低于N阱区埋层的下表面；所述栅极和两侧浅沟槽之间分别设有源区和漏区。本发明提供的基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构采用N型碳化硅作为N阱区埋层和采用N+型碳化硅作为源漏区，有效增大了体区与N阱区埋层埋层之间、体区与源和漏之间的孔穴势垒，从而有效增大1T-DRAM单元的体电势的变化范围，进而有效增大其阈值电压的变化范围，增大了信号裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 异质结 dram 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种基于埋层N型阱的异质结1T‑DRAM结构，其特征在于，包括：一P型硅衬底、一N阱区埋层，所述N阱区埋层覆盖在P型硅衬底上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在N阱区埋层上，所述P型硅层上设有栅极以及位于栅极两侧的侧墙，所述栅极两侧的P型硅层上分别设有浅沟槽，所述浅沟槽的底部低于N阱区埋层的上表面且不低于N阱区埋层的下表面；所述栅极和两侧浅沟槽之间分别设有源漏区。
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