[发明专利]一种磷酸铁锂纳米晶体的制备方法无效
| 申请号： | 201110314526.3 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103035910A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 谷峰;谷俊杰 | 申请（专利权）人： | 谷峰;谷俊杰 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300143 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磷酸铁锂纳米晶体的生产方法，包括：使包含锂源、磷源、亚铁源和水的混合物从亚临界水状态转变到超临界水状态，以产生包含磷酸铁锂纳米晶体的悬浮物，其中所述亚临界水状态是指这样的状态：温度为150℃～374℃，压力高于水的临界压力22.1MPa；所述超临界水状态是指这样的状态：温度高于水的临界温度374℃且压力高于水的临界压力22.1MPa。本发明还涉及一种包含磷酸铁锂纳米晶体和与之混杂的单质铁和/或单质碳的粉末产品，或者，一种包含磷酸铁锂纳米晶体和位于其外表面上的单质铁和/或单质碳包覆层的粉末产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 纳米 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磷酸铁锂纳米晶体的生产方法，包括：使包含锂源、磷源、亚铁源和水的混合物从亚临界水状态转变到超临界水状态，以产生包含磷酸铁锂纳米晶体的悬浮物，其中所述亚临界水状态是指这样的状态：温度为150℃～374℃，压力高于水的临界压力22.1MPa；所述超临界水状态是指这样的状态：温度高于水的临界温度374℃且压力高于水的临界压力22.1MPa。
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