[发明专利]平面磁控溅射阴极无效
| 申请号： | 201110314557.9 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050358A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 黄登聪;彭立全 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种平面磁控溅射阴极，其包括靶材、磁体装置、磁靴，所述磁体装置装设于靶材的相对于溅射表面的一面，所述磁靴设置于磁体装置远离所述靶材的一面，所述磁体装置包括平行且等间隔设置的三第一磁体，该三第一磁体分别设置于靶材的两侧和中间，且相邻的二第一磁体的极性排布相反，该磁体装置还包括二第二磁体组，每一第二磁体组设置于相邻的二第一磁体之间；每一第二磁体组包括等间隔纵向设置的若干第二磁铁；每一第二磁体组中相邻的二第二磁铁的极性排布相反。本发明平面磁控溅射阴极能够使靶材表面的磁场强度分布更加均匀，使得靶材表面的蚀刻区大大宽化，从而有效提高了靶材的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 磁控溅射 阴极 | ||
【主权项】：
一种平面磁控溅射阴极，其包括靶材、磁体装置、磁靴，所述磁体装置装设于靶材的相对于溅射表面的一面，所述磁靴设置于磁体装置远离所述靶材的一面，所述磁体装置包括平行且等间隔设置的三第一磁体，该三第一磁体分别设置于靶材的两侧和中间，且相邻的二第一磁体的极性排布相反，其特征在于：该磁体装置还包括二第二磁体组，所述二第二磁体组对称设置于位于靶材中间的第一磁体的两侧，且每一第二磁体组设置于相邻的二第一磁体之间；每一第二磁体组包括等间隔纵向设置的若干第二磁铁；每一第二磁体组中相邻的二第二磁铁的极性排布相反；且二第二磁体组中关于第一磁体相对称的二第二磁铁的极性排布相反。
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