[发明专利]用于低应力芯片封装件的向心布局有效
| 申请号： | 201110314799.8 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102456664A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 余振华;蔡豪益;吴俊毅;郭庭豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压力芯片封装。该封装包括两个衬底。第一衬底包括在芯片的角区中的第一导电结构阵列和在芯片的外围边缘区中的第二导电结构阵列。每个第一和第二导电结构具有导电柱和导电柱之上的焊料凸焊点，该导电柱在与所述第一衬底平行的平面中具有拉长的截面。该封装还包括具有金属轨迹阵列的第二衬底。每个长柱分别与金属轨迹形成轨迹上同轴凸焊点互连。芯片的角区中的柱的拉长的截面的长轴指向芯片的中心区，而芯片的外围边缘区中的柱的拉长的截面的长轴与该边缘垂直排列。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应力 芯片 封装 向心 布局 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：芯片，位于第一衬底上；第一导电结构，形成在所述芯片上，所述导电结构包括导电柱和形成在所述柱之上的焊料凸焊点，其中，所述第一导电结构在与所述第一衬底平行的平面中具有拉长的截面；金属轨迹，形成在面向所述芯片的第二衬底上；阻焊剂层，形成在所述第二衬底之上，所述阻焊剂层在所述金属轨迹之上具有开口；以及所述芯片上的所述第一导电结构和所述阻焊剂层的所述开口中的所述金属轨迹形成轨迹上凸焊点互连件，其中，所述导电结构的所述拉长的截面的长轴与所述轨迹同轴，并且所述轨迹被设置为指向所述芯片的中心部分。
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