[发明专利]硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件有效
申请号: | 201110315277.X | 申请日: | 2011-10-17 |
公开(公告)号: | CN102540729A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 金旼秀;田桓承;宋知胤;金永珉;李哲虎;李忠宪 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | G03F7/09 | 分类号: | G03F7/09;G03F7/00;G03F7/11 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂,所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中,Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外,提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1] |
||
搜索关键词: | 模组 形成 图案 方法 以及 包括 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种硬掩模组合物,包含:含芳环化合物和溶剂,所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种:[化学式1]
[化学式2]
其中,在化学式1或2中,Ar是芳环基团,R1至R3各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烯基基团、取代或未取代的C7至C20亚芳烷基基团、取代或未取代的C1至C20亚杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂环烷基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚烯基基团、取代或未取代的C2至C30亚炔基基团、或它们的组合,以及n是1至100。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于第一毛织株式会社,未经第一毛织株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110315277.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。