[发明专利]AlGaInP四元系发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201110315620.0 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050593A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;邢振远;李彤;武胜利;任朝花 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AlGaInP四元系发光二极管外延片及其生长方法。采用金属有机物化学气相沉积在GaP衬底上外延生长AlGaInP四元系半导体发光二极管，采用特殊设计的GaxIn1-xP缓冲层来减小晶格失配对外延层的影响，优化设计生长各层的工艺参数，提高晶体质量和有源区的内量子效率，进而提高发光效率。采用此结构的外延层通过一次外延生长形成透明衬底结构发光二极管，避免了后续复杂的wafer-bonding芯片工艺。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 四元系 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
AlGaInP四元系发光二极管外延片，其结构自下而上包括N型GaP衬底、N型GaP缓冲层、N型GaxIn1‑xP缓冲层、N型AlInP层、未掺杂多量子阱层、未掺杂AlInP阻挡层、P型AlInP层、P型GaInP层、P型GaP层和P型GaAs覆盖层，其特征在于，所述的N型GaxIn1‑xP缓冲层包括至少5层，各层厚度自下而上逐渐减小，各层固态镓的摩尔系数x自下而上逐渐减小，且0＜x＜1。
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